Các báo cáo trước đây cho biết, LG sẽ giới thiệu không chỉ một mà hai mẫu flagship mới của hãng tại Triển lãm MWC 2019 diễn ra vào cuối tháng này, bao gồm V50 ThinQ hỗ trợ 5G và phiên bản kế nhiệm chiếc G7 ThinQ, có tên gọi là G8 ThinQ. Mới đây thông tin về dung lượng pin của chiếc LG G8 ThinQ đã bị rò rỉ.
Theo đó, điện thoại LG G8 ThinQ sẽ ra mắt tại Triển lãm di động toàn cầu (MWC 2019) ở Barcelona. Và vì còn hơn ba tuần nữa là đến sự kiện nên việc rò rỉ nhiều thông tin quan trọng liên quan tới thiết bị này cũng là điều bình thường.
Được biết, không lâu sau khi LG V40 ThinQ được ra mắt thì các tin đồn về mẫu flagship dòng G tiếp theo của LG đã liên tiếp xuất hiện trong thời gian qua. Các thông tin này cho biêt, G8 ThinQ sẽ có thiết kế bên ngoài không có nhiều khác biệt so với thế hệ trước. Ngoài ra, dù vẫn còn nhiều thông số cấu hình chưa được tiết lộ nhưng LG G8 ThinQ được tin là sẽ sử dụng chipset mạnh mẽ nhất trong năm nay đến từ Qualcomm là Snapdragon 855 và có màn hình kích thước 6.1 inch.
Và mới đây, trang tin Mobiel Kopen đã tìm thấy các tài liệu chứng nhận pin của LG G8 ThinQ, được chứng nhận bởi cơ quan Brazil Anatel. Theo đó, LG G8 ThinQ (tên mã Alpha) có pin Li-Ion với số model BL-T41 dung lượng 3.400 mAh.
Nếu điều này đúng như vậy, rõ ràng pin LG G8 ThinQ có một bước tiến lớn hơn so với pin 3.300 mAh của LG V40 ThinQ và đặc biệt là lớn hơn so với cả pin 3.000 mAh trên G7 ThinQ.
Không có nhận xét nào:
Đăng nhận xét